俞滨

学术经历包括斯坦福大学电子工程系顾问教授、北京大学微电子客座教授、纽约州立大学教授、浙江大学讲座教授等。微电子领域主要成果包括首次实现工业界10 nm栅长FinFET、首次实现THz速度硅基CMOS FET、首次设计25nm超薄体SOI FET等。拥有300多项美国专利和数十项欧洲、日本、台湾专利，是全球半导体领域拥有专利数量最多的发明人之一。曾任IEEE国际电子器件会议（IEDM）分会主席，IEEE Electron Device Letters和IEEE Transactions on Nanotechology等期刊编辑、国际半导体技术路线图（ITRS）起草委员会成员等。目前研究方向包括后摩尔电子学、神经拟态计算、信息储存与感知等。浙江大学信息与电子工程本科（1985）与硕士（1988），加州大学柏克莱分校电子工程博士（1997）。2019年11月成为求是缘半导体联盟第二届常务理事。